基本信息
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Dongsheng Ge (葛东胜)
博士后，清华大学丘成桐数学科学中心
研究领域
缺陷量子场论、全息、量子信息。
教育背景
- 2010-2014，学士，武汉大学。
- 2014-2016，硕士，苏黎世联邦理工学院 / 巴黎综合理工学院。
- 2016-2020，博士，巴黎高等师范学院。
研究简介
葛东胜研究缺陷、边界和界面如何重组量子场论与全息对偶中的自由度。近年的工作把局域 RG 流、缺陷 C-theorem、非因子化界面和相互作用共形线缺陷作为工具，用来刻画生活在子流形上的自由度，而不只是整体 bulk 场论的性质。与此同时，他关于全息 BCFT、由 Virasoro 子代数构造几何以及 brane 散射的研究，则用纠缠和边界动力学把量子信息量与引力对偶联系起来。
代表性论文
- D. Ge, Y. Nakayama, “Non-Factorizing Interface in the Two-Dimensional Long-Range Ising Model,” Phys. Rev. D 113 (2026) 065028, arXiv:2505.15018.
- D. Ge, T. Nishioka, S. Shimamori, “Localized RG flows on composite defects and C-theorem,” JHEP 02 (2025) 012, arXiv:2408.04428.
- A. Bernamonti, F. Galli, D. Ge, “Boundary-induced transitions in Mobius quenches of holographic BCFT,” JHEP 06 (2024) 184, arXiv:2402.16555.
- P. Caputa, D. Ge, “Entanglement and geometry from subalgebras of the Virasoro algebra,” JHEP 06 (2023) 159, arXiv:2211.03630.
- J. Boruch, P. Caputa, D. Ge, T. Takayanagi, “Holographic path-integral optimization,” JHEP 07 (2021) 016, arXiv:2104.00010.